Массовое производство сверхмалых транзисторов Intel с трехмерным затвором возможно уже в ближайшем будущем: на днях Intel отчитался об успешно проведенных исследованиях усовершенствованных трехмерных транзисторов. Инженеры Intel рассчитывают, что они станут базовыми элементами будущих микропроцессоров, производимых с использованием 45- 30-нанометровых технологий.
В сравнении с современными транзисторами, производимыми по 65-нанометровой технологии, новые интегрированные транзисторы с трехмерным затвором могут обеспечить 45-процентное увеличение тока возбуждения (от которого зависит быстрота переключения транзистора) или 50-кратное уменьшение запирающего тока, а также 35-процентное уменьшение тока переключения транзистора. В основе транзистора Intel с тройным затвором лежит трехмерная структура, похожая на приподнятую горизонтальную плоскость с вертикальными стенками. За счет этого эффективно увеличивается площадь, доступная для прохождения электрических сигналов. Значительно меньшая утечка тока и боле экономичное потребление энергии, по сравнению с нынешними планарными транзисторами позволяют вендору рассчитывать на то, что транзисторы с трехмерным затвором составят основу грядущих технологий Intel.
Кроме того, в Intel разработана методика, позволяющая объединить новые трехмерные транзисторы с другими полупроводниковыми технологиями. «Успешно объединив три ключевых элемента — трехмерную геометрию затвора транзистора, диэлектрики «high-k» и технологию напряженного кремния, — мы в очередной раз разработали транзистор с рекордными характеристиками, - заявил Майк Мэйберри, вице-президент корпорации Intel и руководитель подразделения, занимающегося исследованиями компонентов. — Это вселяет в нас уверенность в то, что закон Мура не утратит силу и в следующем десятилетии».
Напомним, что базовыми элементами микросхем долгое время были планарные транзисторы, которые появились в конце 1950-х годов. Однако по мере развития нанотехнологий, позволяющих создавать транзисторы с элементами, толщина которых составляет всего несколько атомов, то, что раньше воспринималось как «плоское», теперь разрабатывается в трех измерениях для дальнейшего улучшения производительности и энергопотребления микросхем.
Свои разработки по созданию транзисторов с трехмерным затвором Intel представил в 2002 году. Первый трехмерный транзистор проводил на 20% больше тока выборки по сравнению с традиционной планарной конструкцией и аналогичным размером затвора.
Массовое производство сверхмалых транзисторов Intel с трехмерным затвором возможно уже в ближайшем будущем: на днях Intel отчитался об успешно проведенных исследованиях усовершенствованных трехмерных транзисторов. Инженеры Intel рассчитывают, что они станут базовыми элементами будущих микропроцессоров, производимых с использованием 45- 30-нанометровых технологий.
Комментарии (3)
